单项选择题
A.反射B.干涉C.衍射D.二氧化硅膜本身
在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备...
单项选择题在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）
A.外延B.热氧化C.PVDD.CVD
干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）A.形成所需的二氧化硅膜厚B.获得致密的二氧化硅表面C.提高二...
单项选择题干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）
A.形成所需的二氧化硅膜厚B.获得致密的二氧化硅表面C.提高二氧化硅和光刻胶的黏附性D.改善二氧化硅和硅交界面的性能
薄膜对应的英文是（）A.siliconB.polyC.substrateD.film
单项选择题薄膜对应的英文是（）
A.siliconB.polyC.substrateD.film
