‌Si₃N₄薄膜的特性有（）。

​Si3N4薄膜的用途有（）。A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D...

多项选择题​Si₃N₄薄膜的用途有（）。

实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。A.表面迁移B.直接入射C.再发射D.到达角

多项选择题实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。

CVD制备SiO2的方法有（）。A.中温LPCVDB.低温APCVDC.低温PECVDD.低温LPCVD

多项选择题CVD制备SiO₂的方法有（）。