多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。A.Oxide B.Nitride C.Silicide ...

单项选择题请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。

请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。A.Oxide B.Nitride C.Silicide D...

单项选择题请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。

单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C....

单项选择题单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。