单项选择题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C....
单项选择题单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A.氮化硅 B.二氧化硅 C.光刻胶 D.多晶硅
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A.栅氧...
单项选择题在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层 B.沟槽 C.势垒 D.场氧化层
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A.单晶硅刻蚀B.多晶硅刻蚀C.二氧化硅刻蚀D.氮化硅刻蚀
单项选择题在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
A.单晶硅刻蚀 B.多晶硅刻蚀 C.二氧化硅刻蚀 D.氮化硅刻蚀
