单项选择题
A、散射机构； B、复合机构； C、杂质浓度梯度； C、表面复合速度。
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原...
单项选择题一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）
A、1/4 B、1/e C、1/e2 D、1/2
如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。A、变大，变大B、变小，变小C、变...
单项选择题如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
A、变大，变大 B、变小，变小 C、变小，变大 D、变大，变小
锗的晶格结构和能带结构分别是（）A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪...
单项选择题锗的晶格结构和能带结构分别是（）
A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型
