如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

锗的晶格结构和能带结构分别是（）A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪...

单项选择题锗的晶格结构和能带结构分别是（）

不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。A.In（Wm=3.8eV）B.C...

单项选择题不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。

金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。A.半导体表面势B.平带电...

单项选择题金属-SiO₂-p型Si构成的MIS结构中，SiO₂中分布的可动正电荷不会影响（）。