计算题

施主浓度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，计算无光照和有光照时的电导率。已知

某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原...

问答题某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？

在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为1014cm-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

问答题在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10¹⁴cm^-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

473K时硅的求本征硅的电阻率ρi。

问答题

473K时硅的求本征硅的电阻率ρ_i。