计算题 某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？

在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为1014cm-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

问答题在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10¹⁴cm^-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

473K时硅的求本征硅的电阻率ρi。

问答题

473K时硅的求本征硅的电阻率ρ_i。

掺硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μn...

问答题掺硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴迁移率μ_p=360cm²/v·s，求电阻率。