填空题

常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

【参考答案】

光刻；氧化；扩散；刻蚀；离子注入（外延、CVD、PVD）

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湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

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控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

填空题控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

集成电路工艺原理