单项选择题
A、败家子B、钝秀才C、老顽童D、死老魅
含硅薄膜的干法刻蚀工作气体主要是（）。A、CF4B、BCL3C、氮气D、氢气
单项选择题含硅薄膜的干法刻蚀工作气体主要是（）。
A、CF4B、BCL3C、氮气D、氢气
下面（）不属于钨的干法刻蚀所使用的气体。A.SF6B.ArC.氧气D.氮气
单项选择题下面（）不属于钨的干法刻蚀所使用的气体。
A.SF6B.ArC.氧气D.氮气
在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。A.显影B...
单项选择题在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。
A.显影B.光刻C.涂胶D.抛光
