单项选择题
A.450kg B.1000kg C.100kg D.250kg
硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。A.PH3B.PH5C.POCl3D.B2O3
单项选择题硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。
A.PH3 B.PH5 C.POCl3 D.B2O3
硅片切割中的碎料可用于（）。A.铸造多晶硅B.直拉单晶硅C.区熔单晶硅D.填坑
单项选择题硅片切割中的碎料可用于（）。
A.铸造多晶硅B.直拉单晶硅C.区熔单晶硅D.填坑
硅的熔点约为（）。A.800℃B.1410℃C.2200℃D.1200℃
单项选择题硅的熔点约为（）。
A.800℃ B.1410℃ C.2200℃ D.1200℃
