单项选择题
A.铸造多晶硅B.直拉单晶硅C.区熔单晶硅D.填坑
硅的熔点约为（）。A.800℃B.1410℃C.2200℃D.1200℃
单项选择题硅的熔点约为（）。
A.800℃ B.1410℃ C.2200℃ D.1200℃
电磁铸锭法说法错误的是（）。A.熔体与坩埚不直接接触B.硅锭中晶粒较细小C.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体...
单项选择题电磁铸锭法说法错误的是（）。
A.熔体与坩埚不直接接触B.硅锭中晶粒较细小C.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀D.较少晶体缺陷
单晶硅片的电阻率一般控制在（）。A.2～4·cm左右B.1～3·cm左右C.0.5～2·cm左右D.0.1～0...
单项选择题单晶硅片的电阻率一般控制在（）。
A.2～4·cm左右 B.1～3·cm左右 C.0.5～2·cm左右 D.0.1～0.3·cm左右
