离子注入机机架外壳和高压放电棒接地电阻小于（）。

Metal slab中的金属Ti是为了形成金属硅化物降低接触电阻。

判断题Metal slab中的金属Ti是为了形成金属硅化物降低接触电阻。

扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。

判断题扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。

LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。

判断题LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。