多项选择题
A.化学汽相沉淀法B.原子层沉淀法C.水汽氧化D.氢氧合成氧化
关于热氧化速率，说法正确的是（）A.温度越高，速度越快B.压力越大，速率越快C.水汽氧化最慢，干氧氧化最快D....
多项选择题关于热氧化速率，说法正确的是（）
A.温度越高，速度越快B.压力越大，速率越快C.水汽氧化最慢，干氧氧化最快D.掺杂浓度越高，速率越快
热氧化前硅片厚100微米，氧化后二氧化硅的厚度为100微米，此时下列正确的是（）A.被氧化了44微米的硅B.被...
多项选择题热氧化前硅片厚100微米，氧化后二氧化硅的厚度为100微米，此时下列正确的是（）
A.被氧化了44微米的硅B.被氧化了56微米的硅C.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为144微米D.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为156微米
以下哪些工艺会消耗硅片自身的硅（）A.热氧化B.掺氯氧化C.干氧氧化D.化学沉积
多项选择题以下哪些工艺会消耗硅片自身的硅（）
A.热氧化B.掺氯氧化C.干氧氧化D.化学沉积
