多项选择题
A.提高绝缘层的介电常数B.提高衬底的掺杂浓度C.提高平带电压D.降低金属的功函数
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）A.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度B.表面处费米...
多项选择题以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
A.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度B.表面处费米能级与本征费米能级重合C.表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央D.表面势等于费米势的两倍
当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）A.多子反型B.少子耗尽C.多子积累D.少子反型
多项选择题当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
A.多子反型B.少子耗尽C.多子积累D.少子反型
理想MIS结构必须满足的条件有（）A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电B.绝缘层材料为二氧化硅C.半导...
多项选择题理想MIS结构必须满足的条件有（）
A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电B.绝缘层材料为二氧化硅C.半导体必须为本征半导体D.金属与半导体的功函数差为零
