多项选择题
A.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度B.表面处费米能级与本征费米能级重合C.表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央D.表面势等于费米势的两倍
当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）A.多子反型B.少子耗尽C.多子积累D.少子反型
多项选择题当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
A.多子反型B.少子耗尽C.多子积累D.少子反型
理想MIS结构必须满足的条件有（）A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电B.绝缘层材料为二氧化硅C.半导...
多项选择题理想MIS结构必须满足的条件有（）
A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电B.绝缘层材料为二氧化硅C.半导体必须为本征半导体D.金属与半导体的功函数差为零
一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，...
单项选择题一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。
A.0.55B.2.2C.2.8D.1.6
