硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。

多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。

判断题多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。

多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。

判断题多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。

纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。

判断题纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。