二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。

表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A.分凝度B.固溶度C.分凝系数D.扩散系数

单项选择题表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

（）的方法有利于减少热预算。A.高压氧化B.湿氧氧化C.掺氯氧化D.氢氧合成氧化E.等离子增强氧化

多项选择题（）的方法有利于减少热预算。

当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。A.温度B.硅-二氧化硅界面处的化学反应C.氧的扩散速率D....

单项选择题当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。