单项选择题
A.根据版图提供的信息来制造掩膜B.根据掩膜提供的信息来设计版图C.版图（Layout）与掩膜（Mask）的毫无关系D.不确定
集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是（）。A.温度B.厚度C.硅晶向D.掺杂
单项选择题集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是（）。
A.温度B.厚度C.硅晶向D.掺杂
集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是（）。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.离子氧化D.水蒸汽氧化
单项选择题集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是（）。
A.干氧氧化B.湿氧氧化C.离子氧化D.水蒸汽氧化
集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质...
单项选择题集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。
A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质D.作为掩蔽膜
