热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗（）个单位厚度的硅。

二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是（）A.杂质在二氧化硅中的扩散系数远小于其在硅中的扩散系数B.杂质在二氧化硅...

单项选择题二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是（）

集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）A.化学汽相沉积B.原子层沉积C.热氧化D.以上都是

单项选择题集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）

硅氧四面体由（）组成。A.四个氧和一个硅B.两个氧和两个硅C.四个硅和一个氧D.三个氧和一个硅

单项选择题硅氧四面体由（）组成。