多项选择题
A.钨塞B.钝化层C.层间介质BPSG
CVD技术可以制备的薄膜有（）。A.SiO2B.单晶硅C.BSGD.Si3N4
多项选择题CVD技术可以制备的薄膜有（）。
A.SiO2B.单晶硅C.BSGD.Si3N4
溅射方法从本质上可分为（）。A.反应溅射B.直流溅射C.磁控溅射D.射频溅射
多项选择题溅射方法从本质上可分为（）。
A.反应溅射B.直流溅射C.磁控溅射D.射频溅射
集成电路制造技术中，薄膜制备技术主要包括两大类（）。A.薄膜生长技术B.薄膜淀积技术C.薄膜外延技术D.薄膜...
多项选择题集成电路制造技术中，薄膜制备技术主要包括两大类（）。
A.薄膜生长技术B.薄膜淀积技术C.薄膜外延技术D.薄膜堆叠技术
