在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。