大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率...

单项选择题刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A.光刻胶B.衬底C.表面硅层D.扩散区E.源漏...

多项选择题通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A.刻蚀速率B.刻蚀深度C.移除速率D.刻蚀时间

单项选择题（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。