单项选择题
A.350℃~360℃B.380℃~410℃C.410℃~440℃D.420℃~450℃
半导体的光照被消除的情况下，其中的载流子（）A.产生＞复合B.产生＜复合C.产生=复合D.产生率=复合率=0
单项选择题半导体的光照被消除的情况下，其中的载流子（）
A.产生＞复合B.产生＜复合C.产生=复合D.产生率=复合率=0
大功率芯片烧结工艺中，保护气体最好采用（）A.H2B.N2C.HeD.H2和N2混合气体
单项选择题大功率芯片烧结工艺中，保护气体最好采用（）
A.H2B.N2C.HeD.H2和N2混合气体
共晶粘片的主要缺点是（）A.不可返工B.传热快C.可以导通D.可靠性好
单项选择题共晶粘片的主要缺点是（）
A.不可返工B.传热快C.可以导通D.可靠性好
