判断题
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84-1/84-3J为导电胶。
判断题84-1/84-3J为导电胶。
上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。
判断题上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。
芯片边缘崩缺伤及芯片表面有效区域为不良。
判断题芯片边缘崩缺伤及芯片表面有效区域为不良。
