当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时，以下哪些物理量将缩小K倍？（）

在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）A.沟道迁移率恒定近似B.耗尽近似C.强...

多项选择题在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）

MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）A.基区宽度调变效应B.阈...

多项选择题MOSFET的饱和区漏极电流I_D随V_DS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）

​影响MOSFET阈值电压的因素有（）。A.衬底掺杂浓度B.沟道宽度C.栅氧化层厚度D.氧化层固定电荷

多项选择题​影响MOSFET阈值电压的因素有（）。