‏硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为N_s，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？（）

多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）A.磁控溅射B.VPEC.LPCVDD.APCVD

单项选择题多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）

‎基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。A.核阻止和电子阻止是独立的B.核阻止本领>电子阻止...

单项选择题‎基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。

‎CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）A.温度升高，略有下...

单项选择题‎CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO₂）的密度（）