计算题 在掺杂浓度N^D=10¹⁶cm^-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E_t=E_i）。

在n=p的半导体区域，这里n>>ni0

问答题在n=p的半导体区域，这里n>>n_i0

在只有少数载流子别耗尽（例如，pnn0，而nn=nn0）的半导体区域。

问答题在只有少数载流子别耗尽（例如，p_n<n0，而n_n=n_n0）的半导体区域。

在载流子完全耗尽（即n，p都大大小于ni）半导体区域。

问答题在载流子完全耗尽（即n，p都大大小于ni）半导体区域。