计算题 室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。试求电子的扩散长度。

在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，...

问答题在掺杂浓度N^D=10¹⁶cm^-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E_t=E_i）。

在n=p的半导体区域，这里n>>ni0

问答题在n=p的半导体区域，这里n>>n_i0

在只有少数载流子别耗尽（例如，pnn0，而nn=nn0）的半导体区域。

问答题在只有少数载流子别耗尽（例如，p_n<n0，而n_n=n_n0）的半导体区域。