单项选择题
A.PECVDB.LPCVDC.APCVDD.LCVD
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）A.反应剂气体浓度的变化对...
单项选择题LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大B.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响C.淀积速率受气相质量输运控制D.淀积速率受表面化学反应控制
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）A.0.6μmB.0.71...
单项选择题在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）
A.0.6μmB.0.712μmC.0.512μmD.0.088μm
离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
判断题离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
