离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）A.靶温升高，临界剂量上升B.注入离子越轻，临界剂量...

多项选择题关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）

扩散系数在何时不可以看成是常数（）A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质C...

多项选择题扩散系数在何时不可以看成是常数（）

扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。A.大，场助扩散...

单项选择题扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。