以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。

在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应

单项选择题在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。A.接触式B.接近式C.投影式D....

单项选择题光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。

源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。A.氧化B.快速热处理C.退火D.扩散

单项选择题源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。