集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。

芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

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硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。