多项选择题
A.实现杂质浓度突变B.优化衬底材料性能C.设计更加灵活D.让硅片更厚
CMP工艺的三大关键因素是（）A.抛光机B.抛光液C.抛光盘D.抛光垫
多项选择题CMP工艺的三大关键因素是（）
A.抛光机B.抛光液C.抛光盘D.抛光垫
影响CMP质量的因素有（）A.抛光压力B.抛光液PH值C.转速D.抛光区域温度
多项选择题影响CMP质量的因素有（）
A.抛光压力B.抛光液PH值C.转速D.抛光区域温度
高温回流一般用于（）A.平滑处理B.部分平坦化C.局部平坦化D.全局平坦化
多项选择题高温回流一般用于（）
A.平滑处理B.部分平坦化C.局部平坦化D.全局平坦化
