计算题

计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？

确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是hG=5cm/s，表面反应...

问答题确定在1200℃时，由SiCl₄源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h_G=5cm/s，表面反应速率常数为K_S=10⁷exp（-1.9eV/kT）cm/s，C_G=5*10¹⁶cm^-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

为什么使用外延生长难以得到突变结？

问答题为什么使用外延生长难以得到突变结？

由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4...

问答题由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？