问答题
制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐
MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
问答题MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？
问答题与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？
HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
问答题HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
