单项选择题
A.前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅 B.两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料 C.后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是 D.从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）A.杂质原子B.位错C.空位D.二次缺陷
单项选择题太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）
A.杂质原子 B.位错 C.空位 D.二次缺陷
区熔法制备单晶硅时，需要（）A.需要一个石英坩埚用于溶化B.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚C.不需要坩埚D.需...
单项选择题区熔法制备单晶硅时，需要（）
A.需要一个石英坩埚用于溶化 B.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚 C.不需要坩埚 D.需要一个石墨坩埚
晶体生长过程中产生的缺陷称为（）A.原生长缺陷B.二次缺陷C.点缺陷D.诱生缺陷
单项选择题晶体生长过程中产生的缺陷称为（）
A.原生长缺陷 B.二次缺陷 C.点缺陷 D.诱生缺陷
