理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有（）

A.外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变
B.外加正偏压时，半导体一侧势垒增高
C.外加正偏压时，半导体一侧势垒降低
D.外加反偏压时，半导体一侧势垒降低

A.空穴常出现在价带顶
B.空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动
C.空穴常出现在导带底部
D.空穴的有效质量为负

A.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
B.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构
C.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构