问答题
第一次：有源区的轻掺杂漏注入（LDD）时，用光刻胶保护不需注入的其他区域；第二次：在对有源区进行更大剂量的注......
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列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤，并说明该流程的两个主要特点。
问答题列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤，并说明该流程的两个主要特点。
试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
问答题试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
