金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势V_s为（）。

若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。A.降低；降低B.降低；升高C.升...

单项选择题若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。

对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。A.高频B.低频C.VG=Vi+2Vs...

单项选择题对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。

‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。A.Wm＞Ws；整流特性B.Wm＞...

单项选择题‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。