PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。

集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。

判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。