快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。

用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。

判断题用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。

传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

判断题传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。

判断题氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。