判断题
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体心立方的晶体堆砌密度要高于面心立方。
判断题体心立方的晶体堆砌密度要高于面心立方。
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
判断题CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
区熔法可以生长熔点极高的晶体。
判断题区熔法可以生长熔点极高的晶体。
