源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。A.PSGB.USGC.BSGD.FSG

单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。A.场氧区B.源、漏C.栅D.有源区

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。