多项选择题
A.消除驻波效应B.蒸发PR中所有有机溶剂C.提高光刻胶和表面的黏附性D.平滑光刻胶侧壁
光刻是集成电路制造最重要的工艺，是因为（）。A.光刻耗费时间最多B.光刻耗费时间最少C.光刻决定了特征尺寸D....
多项选择题光刻是集成电路制造最重要的工艺，是因为（）。
A.光刻耗费时间最多B.光刻耗费时间最少C.光刻决定了特征尺寸D.光刻成本最高
现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B...
单项选择题现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）
A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B.打底膜、前烘、后烘、坚膜C.预烘、坚膜、前烘、后烘D.打底膜、坚膜、前烘、后烘
Si3N4薄膜的特性有（）。A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
多项选择题Si3N4薄膜的特性有（）。
A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
