多项选择题
A.选择合适的掩蔽膜B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化C.退火D.高压氧化工艺
湿氧氧化采用的氧化水温是（）。A.95度B.90度C.80度D.75度
单项选择题湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
A.95度B.90度C.80度D.75度
硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。A.30nmB.10nmC.20nmD.25nm
单项选择题硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。
A.30nmB.10nmC.20nmD.25nm
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）A.金属离B.微粒C.纯度D.浓度
单项选择题下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
A.金属离B.微粒C.纯度D.浓度
