pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。

器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A.掩膜版B.扩散C.光刻

单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

反应离子腐蚀是（）。A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

单项选择题反应离子腐蚀是（）。

恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A.高斯B.余误差C.指数

单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。