多项选择题
A.产生一个离子并导向靶 B.被轰击的原子向硅晶片运动 C.离子把靶上的原子轰出来 D.经过加速电场加速 E.原子在硅晶片表面凝结
（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A.溅射率B.溅射系数C.溅射效率D.溅射比
单项选择题（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。
A.溅射率 B.溅射系数 C.溅射效率 D.溅射比
（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积
单项选择题（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。
A.蒸镀 B.离子注入 C.溅射 D.沉积
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积
单项选择题（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
