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单项选择题
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
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单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错
B、螺旋位错
C、肖特基缺陷
D、层错
单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏
单项选择题
正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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