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单项选择题

​对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）

A.平坦能带状态
B.深耗尽状态
C.少子反型状态
D.本征状态

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单项选择题

‎对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）

A.A
B.B
C.C
D.D
单项选择题
‏理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）

A.VS≥2VB
B.VS＞VB
C.VS≤2VB
D.VS＜VB
单项选择题
‏金属和半导体接触的整流特性可用于（）

A.制作晶体管
B.制作肖特基势垒二极管
C.给半导体器件接出金属引线
D.制作PN结二极管
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